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Intro ......
반도체 : 300 W ✱ 전도대-가전자가 원자 핵의 구속으로부터 해방되어 전도에 기여할 수 있는 자유전자가 되는 데 필요한 에너지 준위 ✱ 금지대-가전자가 전도성을 갖기 위하여 필요한 에너지 ✱ 금지대의 폭은 eV의 단위로 표시 ✱ 반도체 : 1eV - 2.ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698. 2) 반도체에 섞여 있는 불순물의 양에 따라 저항을 매우 커지게도 할 수 있다.ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698.ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698. ¦ 고체의 에너지 준위와 전기전도 ✱ 원자들이 결합하여 분자를 구성하면 에너지 준위가 형성된다 ✱ 부피가 1cm3인 물질의 저항 예 ✱ 부도체 : 수백만 W, 도체 : 0. 5) 어떤 반도체는 전류를 흘리면 빛을 내기도 한다.ppt. “원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 20세기 최대의 발명품. 3) 교류전기를 직류전기로 바꾸는 정류작용을 할 수도 있다.ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698..ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698.ppt 반도체의 원리 및 응용_5010698.ppt 반도체의 원리 및 응용 ......
Index & Contents
반도체의 원리 및 응용 Up
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[목차]
반 도 체 (Semiconductor)란 ?
반도체의 특징
고체의 에너지 준위와 전기전도
반도체의 종류
1) 진성반도체
2) 불순물 반도체
반도체중의 전류
반도체 제품
반도체 메모리 : 램(RAM)과 룸(ROM)
반도체 재료
실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)
실리콘 잉곳과 웨이퍼
pn 접합(junction) 다이오드
반도체가 하는일...
“원래는 거의 전기가 통하지 않지만 빛이나 열, 또는 특정 불순물을 가해 주면 전기가 통하고 또한 조절도 할 수 있는 물질`
마법의돌, 전자 산업의 꽃, 산업의 쌀, 20세기 최대의 발명품.
• 발전
1946 진공관 에니악 컴퓨터 발명 - 1948년 트랜지스터 발명 - 1958년 반도체IC(집적회로)발명- 1970년대 LSI -- 1980년대 VLSI --1990년대 중반 ULSI --2000년대 GSI 시대
❍ 반도체의 특징
1) 쇠붙이는 가열하면 저항이 커지지만 반도체는 반대로 작 아 진다.
2) 반도체에 섞여 있는 불순물의 양에 따라 저항을 매우 커지게도 할 수 있다.
3) 교류전기를 직류전기로 바꾸는 정류작용을 할 수도 있다.
4) 반도체가 빛을 받으면 저항이 작아지거나 전기를 일으키는데 이를 광전효과라 한다.
5) 어떤 반도체는 전류를 흘리면 빛을 내기도 한다.
고체의 에너지 준위와 전기전도
✱ 원자들이 결합하여 분자를 구성하면 에너지 준위가 형성된다
✱ 부피가 1cm3인 물질의 저항 예
✱ 부도체 : 수백만 W, 도체 : 0.000001 W, 반도체 : 300 W
✱ 전도대-가전자가 원자 핵의 구속으로부터 해방되어 전도에 기여할 수 있는 자유전자가 되는 데 필요한 에너지 준위
✱ 금지대-가전자가 전도성을 갖기 위하여 필요한 에너지
✱ 금지대의 폭은 eV의 단위로 표시
✱ 반도체 : 1eV – 2.5eV
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