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Index & Contents

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[목차]

 

기초전자회로실험 - 다이오드의 특성

내 용

내 용

내 용

내 용

내 용

내 용

내 용

1. 목적

- 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다.

2. 실험장비

    1) 계측기

-DMM

    2) 부품

-저항

        (1) 1㏀

        (2) 1㏁

-다이오드

(1) Si

(2) Ge

-전원

직류전원

-기판

브레드보드

3. 이론

- 다이오드의 동작 상태를 파악하기 위해서 대부분의 디지털 멀티미터를 사용할 수 있다. 순방향과 역방향 바이어스 영역에서 다이오드의 상태를 파악할 수 있는 단자(scale)가 멀티미터에 다이오드 기호로 표시되어 있다. 순방향 바이어스 상태로 연결되어 있다면, 멀티미터는 약 2mA 전류에서 다이오드 양단의 순방향 전압을 나타낼 ...

 

 

 

기초전자회로실험 - 다이오드의 특성

 

내 용

내 용

 

내 용

내 용

 

내 용

내 용

내 용

1. 목적

- 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다.

 

2. 실험장비

1) 계측기

-DMM

2) 부품

-저항

(1) 1㏀

(2) 1㏁

-다이오드

(1) Si

(2) Ge

-전원

직류전원

-기판

브레드보드

 

3. 이론

- 다이오드의 동작 상태를 파악하기 위해서 대부분의 디지털 멀티미터를 사용할 수 있다. 순방향과 역방향 바이어스 영역에서 다이오드의 상태를 파악할 수 있는 단자(scale)가 멀티미터에 다이오드 기호로 표시되어 있다. 순방향 바이어스 상태로 연결되어 있다면, 멀티미터는 약 2mA 전류에서 다이오드 양단의 순방향 전압을 나타낼 것이다. 역방향 바이어스 상태로 연결되어 있다면, 이 영역에서는 보통 개방회로로 고려되며 그것을 입증하는 ‘OL` 표시가 화면에 나타날 것이다. 만약 미터가 다이오드 검사 기능을 갖추고 있지 않다면, 순방향과 역방향 영역에서 저항값을 측정함으로써 다이오드 상태를 점검할 수 있다. 다이오드를 검사하는 이러한 두 방법을 실험 앞부분에서 다룰 것이다.

실리콘 또는 게르마늄 다이오드의 일반적인 전류-전압 특성곡선이 그림2-1에 나타나 있다. 수직축과 수평축 모두 눈금 단위의 변화에 주의하라. 역방향 바이어스 영역에서 역방향 포화전류는 0V에서 제너 전위(Vz)까지 거의 일…(생략)

 

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