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접점부의 온도와 도체의 구성재질에만 관계된. , 열은 온접점에서 흡수되고 냉접점에서 방출되는데 Peltier Effect는 1 Coulomb의 전기가 서로 다른 두 금속의 접점을 통과할 때의 열량의 변화로 정의된다. 이 된다. 결과적으로 Seebeck current 는 그 system 이 equilibrium conditions. 여기서 αAB는 두 금속 A,, 그 결과 나타나는 전기적 냉각현상이 바로 Peltier Effect 이다. (2) Peltier effect thermcouple 회로에 외부 기전력을 걸어주었을 때, C와 B의 Seebeck계수를 알고 있으면 C에 대한 A의 Seebeck은 로 정해진다.zip 우리가 알고있는 Seebeck current는 높은 온도를 유지하는 junction에 `easy time`을 갖는다.hwp . 열전효과. 위와 같은 이론을 바탕으로 한 장치는 thermocouple 이라 하고 생성된 전위차를 thermo-emf 라고 한다.hwp 열전효과. Peltier Effect는 접점을 통해 흐르는 전류와 접점에서의 단위 시간당 열에너지의 변화량과의 관계로 표현된다. 그러므로 equilibrium temperature을  ......

 

 

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열전효과 Down

 

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우리가 알고있는 Seebeck current는 높은 온도를 유지하는 junction에 `easy time`을 갖는다. 그러므로 equilibrium temperature을 유지하기 위해 열을 흡수하려고 한다. Seebeck current 는 electric field에 반대 방향으로 가야한다. 그러므로 일을 해야하고 그러므로 온도를 높이려고 한다. 결과적으로 Seebeck current 는 그 system 이 equilibrium conditions.로 되려 하는 것이다. 위와 같은 이론을 바탕으로 한 장치는 thermocouple 이라 하고 생성된 전위차를 thermo-emf 라고 한다. 

 

저온 접점을 기준으로 도선 A에서 B로 전류가 흐른다면 도선 A는 B에 대해 양극이 된다. 이 때의 

Seebeck전압 VAB는 두 금속선의 특성과 양접점의 온도차에만 관계가 있다. 

 

 

 

 

이 된다. 여기서 αAB는 두 금속 A,B의 Seebeck 계수이다. 

A 와 B, C와 B의 Seebeck계수를 알고 있으면 C에 대한 A의 Seebeck은 

 

로 정해진다. 

 

(2) Peltier effect 

 

thermcouple 회로에 외부 기전력을 걸어주었을 때, Seebeck effect와는 반대되는 현상이 관찰된다. 이것은 이상기체의 등엔트로피 팽창에 의한 냉각의 원리로 반도체 내의 전자기체에 적용하여 설명할 수 있으며, 전자농도가 짙은 반도체로부터 전자농도가 옅은 반도체로 전자가 이동할 때, 전자기체는 팽창하여 화학퍼텐셜이 같은 두 물체 사이의 퍼텐셜 장벽에 대하여 일을 하게되는데, 그 결과 나타나는 전기적 냉각현상이 바로 Peltier Effect 이다. 

전류가 Seebeck 전류와 동일한 방향으로 흐를 때, 열은 온접점에서 흡수되고 냉접점에서 방출되는데 Peltier Effect는 1 Coulomb의 전기가 서로 다른 두 금속의 접점을 통과할 때의 열량의 변화로 정의된다. 전류의 방향은 열이 방출되거나 흡수되는 것에 의해 결정된다. 따라서 이 효과는 역으로도 가능하며, 접점부의 온도와 도체의 구성재질에만 관계된다. 

두 종류의 다른 금속이 접해 있을 때 Vector E-field나 space charge가 형성되어, 더 이상의 전자가 흐르는 것을 막을 때까지 접점을 통해 한 금속에서 다른 금속으로 전자가 이동한다.

Peltier Effect는 접점을 통해 흐르는 전류와 접점에서의 단위 시간당 열에너지의 변화량과의 관계로 표현된다.

 

 

 

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